Dispositivos semiconductores
Detalles de publicación: México Ed. McGraw-Hill 1997Edición: 1a. edDescripción: 636 SíISBN:- 492
- 621.38152/S57
Contenidos:
Mecánica cuántica y física estadística de los electrones. Electrones en cristales:estructura de bandas del semiconductor. Adulteración de semiconductores. Transporte y propiedades ópticas en semiconductores. Uniones en semiconductores:diodos p - n. Uniones de semiconductores con metales y aislantes. Transistores de unión bipolar. Transistores de efecto de campo:JFET, MESFET y MODFET. Transitores de efecto de campo:MOSFET. Dispositivos optoelectrónicos:de fotones a electrones. Dispositivos optoelectrónicos:emisión de luz. Sistemas de comunicación ópticos:necesidades del dispositivo
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Signatura topográfica | Copia número | Estado | Notas | Código de barras | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Libro | Unidad de Biblioteca Central, Banco de Libros y Librería Primer Piso-Sala 2 | 621.38152/S57 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | Externo | 32470 |
Mecánica cuántica y física estadística de los electrones. Electrones en cristales:estructura de bandas del semiconductor. Adulteración de semiconductores. Transporte y propiedades ópticas en semiconductores. Uniones en semiconductores:diodos p - n. Uniones de semiconductores con metales y aislantes. Transistores de unión bipolar. Transistores de efecto de campo:JFET, MESFET y MODFET. Transitores de efecto de campo:MOSFET. Dispositivos optoelectrónicos:de fotones a electrones. Dispositivos optoelectrónicos:emisión de luz. Sistemas de comunicación ópticos:necesidades del dispositivo
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