Propiedades eléctronicas de elementos cristalinos semiconductores (Registro nro. 68004)
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| 000 -LIDER | |
|---|---|
| Campo de control de longitud fija | 00760nam a2200157Ia 4500 |
| 005 - FECHA Y HORA DE ULTIMA TRANSACCION | |
| Campo de control | 20250107234144.0 |
| 008 - ELEMENTOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACION GENERAL | |
| Campo de control de longitud fija | 250106s2003 xx 000 0 und d |
| 020 ## - INTERNATIONAL STANDARD BOOK NUMBER | |
| ISBN | 10591 |
| 082 ## - NUMERO DE CLASIFICACION DECIMAL DEWEY | |
| Número de clasificación | P.I/537.622/C37 |
| 100 ## - ASIENTO PRINCIPAL--NOMBRE PERSONAL | |
| Nombre personal | Cabrera Arista, César |
| 245 #0 - TITULO | |
| Título | Propiedades eléctronicas de elementos cristalinos semiconductores |
| 260 ## - PUBLICACION, DISTRIBUCION, ETC. | |
| Lugar de publicación | Callao |
| Fecha de publicación | 2003 |
| 300 ## - DESCRIPCION FISICA | |
| Páginas | 57 |
| Material acompañante | Sí |
| 505 ## - NOTA DE CONTENIDO | |
| Nota de contenido | Se hace un estudio teórico de las propiedades electrónicas y de la energía total de dos semiconductores: el silicio Si y el Galio-Arsénico Ga-As, usando la Teoría de la Funcional Densidad con la aproximación LSDA [R.01]. Estos valores de la energía total es un indicativo de la estabilidad del sistema bajo el modelo planteado en el presente trabajo. |
| 942 ## - CAMPOS ADICIONALES (KOHA) | |
| Tipo de ítem | Informe Final de Investigación |
| Withdrawn status | Lost status | Damaged status | Not for loan | Home library | Current library | Shelving location | Date acquired | Source of acquisition | Coded location qualifier | Total Checkouts | Full call number | Barcode | Date last seen | Price effective from | Koha item type | Public note |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Unidad de Biblioteca Central, Banco de Libros y Librería | Unidad de Biblioteca Central, Banco de Libros y Librería | Primer Piso-Referencia | 19/02/2008 | Donación | Regular | P.I/537.622/C37 | BCpi355 | 08/01/2025 | 08/01/2025 | Informe Final de Investigación | Interno |