| 000 | 01233nam a2200169Ia 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 005 | 20241211205819.0 | ||
| 008 | 241211s2003 xx 000 0 und d | ||
| 020 | _afiis1572 | ||
| 082 | _a621.381/B78/2003 | ||
| 100 | _aBoylestad Nashelsky | ||
| 245 | 0 | _aElectrónica: teoría de circuitos y dispositivos electrónicos | |
| 250 | _a8a. | ||
| 260 | _c2003 | ||
| 300 | _a1020 páginas | ||
| 505 | _a1. Diodos semiconductores 2. Aplicaciones de diodos 3. Transistores bipolares de unión 4. Polarización de DC para BJTs 5. Transistores de efecto de campo 6. Polarización del FET 7. Modelaje de transistores bipolares 8. Análisis a pequeña señal del transistor bipolar 9. Análisis a pequeña señal para FET 10. Aplicación de sistemas: efectos de rs y rl 11. Respuestas a la frecuencia de transistores BJT y JFET 12. Configuraciones compuestas 13. Amplificadores operacionales 14. Aplicaciones del amplificador operacional 15. Amplificadores de potencia 16. Circuitos integrados Cls lineales digitales 17. Retroalimentación y circuitos osciladores 18. Fuentes de alimentación 19. Otros dispositivos de dos terminales 20. Dispositivos pnpn y otros 21. El osciloscopio y otros instrumentos de medición | ||
| 942 | _yLIB | ||
| 999 |
_c57138 _d57138 |
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