| 000 | 00995nam a2200169Ia 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 005 | 20250107234011.0 | ||
| 008 | 250106s1997 xx 000 0 und d | ||
| 020 | _a492 | ||
| 082 | _a621.38152/S57 | ||
| 100 | _aSingh, Jasprit | ||
| 245 | 0 | _aDispositivos semiconductores | |
| 250 | _a1a. ed. | ||
| 260 |
_aMéxico _bEd. McGraw-Hill _c1997 |
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| 300 |
_a636 _eSí |
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| 505 | _aMecánica cuántica y física estadística de los electrones. Electrones en cristales:estructura de bandas del semiconductor. Adulteración de semiconductores. Transporte y propiedades ópticas en semiconductores. Uniones en semiconductores:diodos p - n. Uniones de semiconductores con metales y aislantes. Transistores de unión bipolar. Transistores de efecto de campo:JFET, MESFET y MODFET. Transitores de efecto de campo:MOSFET. Dispositivos optoelectrónicos:de fotones a electrones. Dispositivos optoelectrónicos:emisión de luz. Sistemas de comunicación ópticos:necesidades del dispositivo | ||
| 942 | _cLIB | ||
| 999 |
_c61616 _d61616 |
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