000			00760nam a2200157Ia 4500
005			20250107234144.0
008			250106s2003 xx 000 0 und d
020			_a10591
082			_aP.I/537.622/C37
100			_aCabrera Arista, César
245		0	_aPropiedades eléctronicas de elementos cristalinos semiconductores
260			_aCallao _c2003
300			_a57 _eSí
505			_aSe hace un estudio teórico de las propiedades electrónicas y de la energía total de dos semiconductores: el silicio Si y el Galio-Arsénico Ga-As, usando la Teoría de la Funcional Densidad con la aproximación LSDA [R.01]. Estos valores de la energía total es un indicativo de la estabilidad del sistema bajo el modelo planteado en el presente trabajo.
942			_cIFI
999			_c68004 _d68004