Propiedades eléctronicas de elementos cristalinos semiconductores
Detalles de publicación: Callao 2003Descripción: 57 SíISBN:- 10591
- P.I/537.622/C37
Contenidos:
Se hace un estudio teórico de las propiedades electrónicas y de la energía total de dos semiconductores: el silicio Si y el Galio-Arsénico Ga-As, usando la Teoría de la Funcional Densidad con la aproximación LSDA [R.01]. Estos valores de la energía total es un indicativo de la estabilidad del sistema bajo el modelo planteado en el presente trabajo.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Signatura topográfica | Estado | Notas | Código de barras | |
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| Informe Final de Investigación | Unidad de Biblioteca Central, Banco de Libros y Librería Primer Piso-Referencia | P.I/537.622/C37 (Navegar estantería(Abre debajo)) | Disponible | Interno | BCpi355 |
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Se hace un estudio teórico de las propiedades electrónicas y de la energía total de dos semiconductores: el silicio Si y el Galio-Arsénico Ga-As, usando la Teoría de la Funcional Densidad con la aproximación LSDA [R.01]. Estos valores de la energía total es un indicativo de la estabilidad del sistema bajo el modelo planteado en el presente trabajo.
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